트랜스폼의 SuperGaN FET, 보코 일렉트로닉스의 고효율 암호화폐 채굴기 전원 장치에 도입

임무 수행해 필요한 고전력 애플리케이션을 위해 개발한 GaN 기기, 낮은 시스템 비용으로 신뢰성 높은 3.6kW 전원 장치 뒷받침

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Transphorm, Inc. 나스닥 TGAN
2022-03-23 13:30
골레타, 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어)--신뢰성 높은 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 공급하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)(나스닥: TGAN)이 보코 일렉트로닉스(Boco Electronics, 이하 ‘보코’)와 함께 SuperGaN® FET를 이용한 3.6kW 전원 장치를 출시했다고 22일 발표했다.

항저우 보코 일렉트로닉스(Hangzhou Boco Electronics Co., LTD.) 최고경영자인 골든 인(Golden Yin)은 “채굴기는 일주일 내내 24시간 가동해야 한다. 고객들이 높은 전력과 효율성, 신뢰성으로 무장한 전원 장치를 필요로 하는 이유다. 보코는 탄탄한 설계 역량에 첨단 GaN 솔루션을 접목하면 이런 요구 사항에 부응할 수 있다고 생각했다. 실제로 트랜스폼의 GaN 제품들은 보코의 기대치를 잘 충족했다. 트랜스폼은 자체적으로 높은 전력 범위에 더 적합하다는 사실도 입증했다. 트랜스폼의 GaN 제품군은 채굴기와 같은 까다로운 산업 부문이 요구하는 현장 신뢰성이 여느 대안 제품보다 뛰어나다”고 말했다.

보코의 전원 장치에 사용된 트랜스폼의 SuperGaN FET는 JEDEC 인증을 획득하고 노멀리-오프(normally-off) 전압과 온저항이 각각 650V, 35밀리옴(mΩ)인 TP65H035G4WS다. TP65H035G4WS는 SuperGaN Gen IV 제품군에 속하며 업계를 선도하는 ±20V 게이트를 제공하고, 잡음 내성(noise immunity) 임계값은 4V로 업계 최고를 자랑한다.

트랜스폼의 GaN은 빠른 스위칭과 낮은 손실 특성을 앞세워 보코가 동종 전원 장치에 사용하고 있는 MOSFET를 대체하고 있다. 최신 토템폴 PFC도 보코의 인터리빙 H(full bridge) PFC 또는 인터리빙 DCM PFC의 역할을 한다. 트랜스폼의 시스템을 사용하면 전력 밀도를 높여 공기 냉각을 높이기 위해 필요한 추가 공간을 확보할 수 있다. 특히 보코는 트랜스폼 기기의 주요한 특징인 높은 설계성과 구동력에 힘입어 6개월 만에 전원 장치를 개발하는 쾌거를 달성했다.

케니 임(Kenny Yim) 트랜스폼 아시아태평양 지역 영업 부사장은 “암호화폐 채굴기와 같이 복잡한 수학적 문제를 해결하고 막대한 양의 데이터를 처리하는 전력 소모가 많은 애플리케이션을 뒷받침하는 비용이 점점 늘고 있다. 실제로 중국에서는 현지 지방 당국의 지원을 받아 값싼 수력 에너지를 이용해 온 채굴 농장들이 규제 변화[1]로 이전해야 할 처지에 놓였다. 이에 따라 보코는 GaN을 통해 고전력 애플리케이션 시스템을 제조하는 업체들에 눈을 돌리고 있다. 성능과 효율성을 높이지 않으면 높은 전기료 부담을 감당할 수 없기 때문이다. GaN 플랫폼을 강화함으로써 이런 추세를 뒷받침하게 돼 자랑스럽다”고 말했다.

트랜스폼은 보코의 제품 개발 과정에서 트랜지스터 공급업체 그 이상의 역할을 했다. 트랜스폼의 기술 지원팀은 GaN 기술이 가장 높은 성능 출력을 뒷받침할 수 있도록 보코의 공학 팀과 협력해 설계를 검토했다.

구매 시기

보코의 3.6kW 전원 장치는 현재 구매 가능하다.

트랜스폼(Transphorm, Inc.) 개요

트랜스폼은 GaN 혁신을 주도하는 세계적 기업으로 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계·제조하고 있다. 트랜스폼은 1000개 이상의 특허를 소유 또는 라이선스해 업계에서 가장 방대한 전력 GaN IP(지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있으며, 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산한다. 또한 수직 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원 등 모든 개발 단계에서 혁신을 일으키고 있다. 트랜스폼은 혁신을 통해 전자제품이 실리콘의 한계를 극복해 99% 이상 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 한편, 시스템 비용을 20% 절감하도록 뒷받침한다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 있으며 골레타와 일본 아이즈(Aizu)에 생산 시설이 있다. 자세한 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com), 트위터(@transphormusa) 또는 위챗(@TransphormGaN)에서 확인할 수 있다.

SuperGaN 상표는 트랜스폼이 등록한 상표다. 다른 모든 상표는 개별 소유자의 자산이다.

[1] 펭(Feng), 코코(Coco). ‘장비 배송 지연, 관세, 법적 규제에 중국 비트코인 채굴업체들 엑소더스’ 사우스차이나모닝포스트(SCMP) 2022년 2월 12일자

비즈니스와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20220322005087/en/

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웹사이트: http://www.transphormusa.com/

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