트랜스폼, 2022 ISPSD서 전력 변환 효율 99% 뛰어난 1200V GaN 전력 트랜지스터 공개
새로운 고전압 기기, SiC 전력 시스템이 우위를 점하던 고전력 전기차 및 재생에너지 애플리케이션 분야에서 GaN 기술의 경쟁력 입증
프리밋 파리크 트랜스폼 공동설립자 겸 사장, 2월 25일 오후 3시 30분(EST) 체더 뉴스에 게스트로 출연
트랜스폼의 1200V GaN 기기는 동급 온저항 SiC MOSFET보다 99% 이상 뛰어난 효율성과 성능을 제공한다. 트랜스폼은 ARPA-E 서킷(ARPA-E CIRCUITS) 프로그램의 재정 지원을 받아 전기차 모빌리티, 인프라 전력 시스템, 산업 및 재생 에너지 시스템용으로 1200V GaN 기기를 개발하고 있다. 1200V GaN 기기는 다른 GaN 공급업체들과 달리 광범위한 산업 전반에 걸쳐 45W에서 1만kW 이상에 이르는 다양하고 폭넓은 전력을 뒷받침하는 트랜스폼의 역량을 더욱 높여 줄 이정표적 제품이다.
트랜스폼은 5월에 있을 ISPSD 프레젠테이션에서 1200V GaN 기기에 대한 세부 정보와 성능 분석 결과를 공개할 예정이다. 트랜스폼은 하드-스위치 동기 승압 하프 브리지 토폴로지를 통해 성능을 분석했다. TO-247 패키지로 구성한 1차 1200V GaN 기기의 RDS(on)은 70mΩ으로 스케일링이 쉬워 저항을 낮추되 출력 준위를 높일 수 있다. 초기 결과에 따르면 항복 전압이 1400V가 넘고, 누설 전류는 현저히 낮았다.
우메시 미쉬라(Umesh Mishra) 트랜스폼 공동설립자 겸 최고기술책임자는 “우리 엔지니어들이 트랜스폼의 독보적인 수직 통합 역량을 바탕으로 다시 한번 GaN 가능성의 한계를 뛰어넘었다. 트랜스폼의 목표는 안정적인 초고전압 GaN 제품을 출시해 전력 시스템을 개발하는 고객의 선택지를 넓히는 것이다. 1200V GaN FET를 활용하면 SiC 솔루션보다 디자인 가용성, 비용 효율성, 성능이 일제히 뛰어난 전력 시스템을 개발할 수 있다. 1200V GaN FET는 GaN 전력 전자 업계에 중요한 이정표가 될 것”이라고 말했다.
현재 시중에서 구할 수 있는 고전력 GaN 트랜지스터는 대부분 600~650V이며, 900V GaN 기기는 트랜스폼의 제품이 유일하다. 트랜스폼은 핵심 제품 포트폴리오이자 TO-XXX와 PQFN 패키지로 알려진 ‘normally-off형’ 650V 기기를 통해 여느 GaN 공급업체보다 더 많은 전력 애플리케이션을 뒷받침한다. 또한 고객이 높은 전력 밀도 및 효율성, 낮은 변환 손실 및 시스템 비용 등 GaN 특유의 이점을 살리고, 동급 e-GaN이나 SiC 옵션보다 설계와 구동이 쉬운 안정적인 기기로 일할 수 있도록 지원한다. 1200V FET의 성능을 실제로 구현하면 SiC 솔루션에 의존해 온 까다로운 고성능 전력 시스템 애플리케이션을 뒷받침할 수 있기 때문에 트랜스폼의 포트폴리오는 물론 시장 기회가 크게 확대될 것으로 예상된다.
미국 에너지부 고등연구계획국(Advanced Research Projects Agency - Energy) 기술 연구 부책임자인 이시크 키지라일리(Isik Kizilyalli) 박사는 “1200V GaN은 이미 업계에서 논의돼 왔지만 성공을 거두기 어렵다는 인식이 컸다. 트랜스폼은 일리노이 공과대학교가 이끄는 ARPA-E 서킷 프로그램의 지원을 통해 1200V 기기 노드에서 800V 스위칭 효율이 뛰어난 GaN 성능을 제시하며 중요한 돌파구를 마련했다”고 평했다.
트랜스폼은 2023년에는 1200V FET 샘플링이 가능할 것으로 전망하고 있다.
미디어 출연: 트랜스폼 공동설립자 겸 사장인 프리밋 파리크(Primit Parikh)가 2월 25일 금요일 미국 동부 표준시(EST)로 오후 3시 30분에 체더 뉴스(Cheddar News)에 게스트로 출연할 예정이다. 파리크 사장은 2월 22일 TD 아메리트레이드 네트워크(TD Ameritrade Network)에도 출연한 바 있다. 웹사이트(https://tdameritradenetwork.com/video/rB4A-H8hEBKBfyOJFFsAWA)에서 파리크 사장의 인터뷰 내용을 확인할 수 있다.
트랜스폼(Transphorm) 개요
GaN 혁신을 주도하는 글로벌 선도 기업 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계하고 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 허가받아 최다 전력 GaN IP(지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있으며, 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산한다. 수직으로 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원 등 모든 개발 단계에서 혁신을 일으키고 있다. 트랜스폼은 혁신을 통해 전자제품이 실리콘의 한계를 넘게 해 99% 이상의 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 한편, 시스템 비용을 20% 절감하고 있다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 있으며 골레타와 일본 아이즈(Aizu)에 생산 시설이 있다. 자세한 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com), 트위터(@transphormusa) 또는 위챗(@TransphormGaN)에서 확인할 수 있다.
비즈니스와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20220224005401/en/
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웹사이트: http://www.transphormusa.com/
연락처
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211커뮤니케이션즈(211 Communications)
헤더 아일라라(Heather Ailara)
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