도시바 메모리 코퍼레이션, 세계 최초로 TSV기술을 적용한 3D플래시 메모리 개발

고속 데이터 입출력, 저전력소비, 대용량 달성

2017-07-12 10:40
도쿄--(Business Wire / 뉴스와이어)--세계 메모리 솔루션 업계 선도기업인 도시바 메모리 코퍼레이션(Toshiba Memory Corporation)이 셀당 3비트를 저장하는 3중셀(TLC) 기술이 채용된 실리콘 관통전극(Through Silicon Via, TSV)[3]기술을 적용하여 세계 최초의[1] BiCS FLASH™ 3차원(3D)플래시 메모리[2]를 개발했다고 11일 발표했다.

개발 목적을 위한 시제품은 지난 6월부터 출하되기 시작했으며 제품 샘플은 2017년 후반기에 공개될 예정이다. 이 획기적인 디바이스의 시제품은 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 8월7~10일에 열리는 2017플래시 메모리 서밋(2017 Flash Memory Summit)에서 공개될 예정이다.

TSV기술을 적용한 디바이스는 데이터를 고속으로 입출력하면서 전력 소모를 줄이는 구조로 수직 전극 및 바이어스가 실리콘 다이(die)를 통과하여 연결성을 제공한다. 실제로 사용하는 성능은 이전에 발표된 도시바의 2D 낸드(NAND) 플래시 메모리[4]를 통해 이미 입증됐다.

도시바 메모리 코퍼레이션은 48레이어 3D플래시 공정과 TSV기술을 결합하여 제품의 프로그래밍 대역폭을 성공적으로 증대시키면서 전력 소비를 낮췄다. 단일 패키지의 전력 효율성[5]은 와이어 본딩 기술을 적용한 동일 세대 BiCS FLASH™ 메모리의 약 두 배[6]가 된다. 또 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH™메모리는 단일 패키지에 16 다이를 적층한 구조로 용량이 1테라바이트(TB)에 이른다.

도시바 메모리 코퍼레이션은 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH™메모리를 상용화하여 기업용 고성능 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 포함한 저지연성, 고대역폭의 IOPS(초당 입출력 횟수)[7]/와트를 필요로 하는 스토리지 애플리케이션에 적합한 솔루션을 제공할 예정이다.

일반 사양(시제품)
(pdf 참조. 다운로드: https://goo.gl/quNTBf)

주:
[1] 출처: 도시바 메모리 코퍼레이션, 2017년7월11일 현재.
[2] 플래시 메모리 셀을 실리콘 기판에 수직으로 적층한 구조로 실리콘 기판 위에 셀을 형성한 평면형 낸드(NAND) 플래시 메모리에 비해 밀도를 크게 높일 수 있다.
[3] 실리콘 관통전극: 단일 패키지 안에서 수직 전극과 바이어스가 실리콘 다이를 통과하여 연결 시키는 기술
[4] “도시바, TSV기술을 적용한 16다이 적층 낸드 플래시 메모리를 세계 최초로 개발”(Toshiba Develops World’s First 16-die Stacked NAND Flash Memory with TSV Technology)
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] 전력 단위 당 데이터 전송 속도(MB/s/W)
[6] 도시바 메모리 코퍼레이션의 기존 제품과 비교했을 경우
[7]초당 입출력: I/O 포트를 통해 데이터를 초당 입출력하는 횟수. 횟수가 많을수록 성능이 더 우수하다는 것을 나타낸다.

비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: http://www.businesswire.com/news/home/20170710006538/en/

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첨부자료:
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